Тайминги памяти

Меньшее число циклов не всегда означает меньшую задержку в наносекундах: длительность цикла меняется вместе со скоростью памяти. Кроме того, один CL не описывает весь доступ к памяти.

1. 01

   Запись таймингов описывает несколько задержек DRAM, включая CAS Latency, задержку RAS-to-CAS и предварительный заряд строки.

   Граница применимости: Полный набор параметров и допустимые значения зависят от поколения памяти и контроллера.

2. 02

   Тайминг в циклах нужно оценивать вместе с длительностью цикла: более высокий CL при большей скорости может дать такую же или меньшую задержку в наносекундах.

   Граница применимости: Полная задержка подсистемы памяти включает дополнительные этапы и не равна одному CAS Latency.

1. Сопоставляйте тайминги только вместе с MT/s.
2. Проверяйте полный профиль, напряжение и поддержку процессора и BIOS.
3. Для своей нагрузки измеряйте задержку и пропускную способность всей системы.

• Официальная документация

  Kingston Memory Glossary

  Kingston Technology · официальный справочник, проверено 29 августа 2026 года

  Определяет memory rank, CL, MT/s и базовые типы модулей.

  Открыть первоисточник ↗
• Официальное разъяснение

  What is CAS Latency? CL and RAM Timings Explained

  Kingston Technology · официальная техническая статья, проверено 29 августа 2026 года

  Определяет CL в clock cycles и показывает перевод в наносекунды через MT/s.

  Открыть первоисточник ↗